详细信息
SI2305 P沟道增强型功率MOSFET
该SI2305采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或在PWM应用。
总体特征
●VDS = -20V，id= -4.1a
RDS（ON）< 75mΩ@ VGS = -2.5V
RDS（ON）< 52mΩ@ VGS = -4.5v
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
什么是MOS管：
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
SI2305,贴片低压MOS管,MOS管
