详细信息
Description
The si2308 uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation withgate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Batteryprotection or in other switching application.
General Features
● VDS =60V,ID =3A
RDS(ON) <105mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V
● High power and current handing capability
● Lead free product is acquired
● Surface mount package
N沟道MOS管的结构及工作原理
N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。
