详细信息
国产HC原装低压MOS管（场效应管）SI2310产品介绍：
产品型号：SI2310
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:60V
漏极电流（ID）:3.0A
漏源电流脉冲IDM:10A
栅源电压（VGS）:±12V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.38W
栅源极开启电压VGS(th):1.0~ 2.0V
栅源截至电流IGSS(F/R):±100nA
N沟道MOS管的结构及工作原理
N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。
SI2310,国产MOS管,场效应
