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SI2309 P沟道增强型功率MOSFET
该SI2309采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。SI2309产品参数介绍：
产品型号：SI2309
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
最小包装：3000PCS
P沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:-60V
漏极电流（ID）:-1..25A(VGS =-10V)
RDS(ON) ＜ 340mΩ (VGS =-10V)
RDS(ON) ＜ 550mΩ (VGS =-4.5V)
漏源电流脉冲IDM:-8A
栅源电压（VGS）:±20V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.25W
栅源极开启电压VGS(th):-1.0~ -3.0V
栅源截至电流IGSS(F/R):±100nA
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